制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:52.4 ARds On-漏源导通电阻:21 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:20 V最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:3.75 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:QFET封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:4.83 mm长度:10.67 mm系列:FQB50N06L晶体管类型:1 N-Channel类型:MOSFET宽度:9.65 mm商标:ON Semiconductor / Fairchild正向跨导 - 最小值:40 S下降时间:145 ns产品类型:MOSFET上升时间:380 ns工厂包装数量:800子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:80 ns典型接通延迟时间:20 ns单位重量:1.312 g
