系列：TrenchFET®FET类型：P 沟道技术：MOSFET（金属氧化物）电流-连续漏极（Id）（25°C时）：120A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：270nC @ 10V不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：14280pF @ 25VVgs（最大值）：±20V功率耗散（最大值）：375W（Tc）不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：6.7 毫欧 @ 30A，10V工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB封装形式Package：TO-263-3极性Polarity：P-CH漏源极击穿电压VDSS：60V连续漏极电流ID：120A漏源极导通电阻RDS(ON)：6.7mOhms栅源极阀值电压VGS(th)：2VId-连续漏极电流：120APd-功率耗散：375WQg-栅极电荷：180nCRds On-漏源导通电阻：6.7mOhmsVds-漏源极击穿电压：60VVgs - 栅极-源极电压：-10V
